Основные разделы


Классификация полевых транзисторов

Полевыми транзисторами называются полупроводниковые приборы (ППП), работа которых основана на модуляции сопротивления слоя полупроводникового материала поперечным электрическим полем.

Протекание электрического тока в полевых транзисторах обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие транзисторы называют также униполярными в отличие от биполярных.

По физическим эффектам, лежащим в основе управления носителями заряда, полевые транзисторы бывают трех видов: с управляющим p-n-переходом, с управляющим переходом металл полупроводник и со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы).

В полевых транзисторах в качестве полупроводникового материала используют в основном кремний и арсенид галлия, в качестве металлов: алюминий, молибден, золото; в качестве диэлектрика оксид кремния SiО2 в МОП-транзисторах или сложные структуры, например SiO2-Al2O3, SiO2-Si3N4 в МДП-транзисторах.

МДП-транзисторы по способу образования канала подразделяются на транзисторы со встроенным каналом (канал создается при изготовлении) и с индуцированным каналом (канал возникает под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам). В современных цифровых интегральных схемах (ИС) наиболее распространены МДП-трнзисторы с индуцированным каналом.

По типу проводимости МДП-транзисторы делятся на транзисторы с каналом n-типа и каналом p-типа.

Полевые транзисторы проще биполярных по структуре, кроме того им присущ ряд ценных качеств:

производство этих приборов проще, они имеют меньшие габариты и можно добиться более высокой степени интеграции ИС;

потребляемая ими мощность меньше, чем у биполярных транзисторов (мощность, потребляемая МОП - транзисторами, составляет единицы нановатт, в то время как биполярные транзисторы потребляют единицы милливатт);

применение полевых транзисторов улучшает экономические показатели изделий;

характерной особенностью полевых транзисторов является высокое входное сопротивление (свыше 10 МОм) и высокий коэффициент усиления по напряжению;

на базе полевых транзисторов легко создавать запоминающие устройства, работающие за счет накопления зарядов малыми внутренними емкостями;

надежность полевых транзисторов выше надежности биполярных.

Прочитайте еще и эти статьи:

Зоновая РРЛ прямой видимости Мурманск–Кировск
Современная жизнь немыслима без передачи информации, которая осуществляется с помощью систем связи. Радиорелейные линии заняли прочное место в сети связи РФ. Они широко используются для передачи сигналов многоканальной телефонии, телевидения, зв ...

Составление документации по замене станций
Связь является важнейшей составной частью производственной инфраструктуры и инфраструктуры рынка, развитие которой серьёзно способствует укреплению в России рыночных отношений, повышению эффективности производства и улучшению благосостояния общ ...

© Copyright 2020 | www.techattribute.ru