Основные разделы


Скорость производства информации

Следствием принципиальных различий в НЗ и НО ВАХ является то, что транзисторы как переключатели могут быть разделены на приборы, управляемые током и приборы, управляемые напряжением. Это обстоятельство является очень важным с точки зрения энергетики производства информации. Дело в том, что отпирание переключателя НЗ типа неизбежно сопровождается потреблением тока и, следовательно, энергии по входной цепи (см. рис 6 и 7). В подавляющем большинстве переключателей эта энергия термализуется по мере потребления. Другое дело в переключателях НО типа. В этих приборах запирание производится путем подачи на управляющий электрод (затвор полевого транзистора) напряжения.

В любом из известных типов НО элементарных переключателей - МОН транзисторов, НТШ и полевом транзисторе с управляющим р-п переходом ток по входной цепи не потребляется. Следовательно, не потребляется и энергия от источника питания.

Рис. 7 ВАХ полевых транзисторов с управляющим переходом (ПТУП)

Энергия накапливается на входной емкости (емкости затвористок) транзистора. Важно подчеркнуть, не рассеивается по мере отпирания, как это имеет место в биполярных транзисторах, а накапливается. Это обстоятельство создает предпосылки для ее повторного использования при производстве информации. Повышение скорости обработки цифровой информации, прежде всего, обязано совершенствованию структур.

Прогресс в области микроэлектроники в целом и в области цифровой техники в частности на протяжении более пятидесяти лет обусловлен в основном за счет совершенствования транзисторов на базе развития технологии. Совершенствование транзисторов ведется по следующим стратегическим направлениям. Первое - уменьшение геометрически размеров классических типов транзисторов традиционных конструкций. Уже более тридцати лет уменьшение топологических и структурных размеров ведется путем простого масштабирования.

То есть одновременно с уменьшением длины канала полевого транзистора, размеров контактных окон и электродов к рабочим областям затвора, истока и стока уменьшается и толщина подзатворного диэлектрика и глубины залегания р-п переходов (или толщины областей). В биполярном транзисторе одновременно с уменьшением размеров эмиттера, базы, коллектора и электродов к ним уменьшаются и глубины залегания р-п переходов эмиттер-база и коллектор-база.

Второе стратегическое направление - создание полной диэлектрической изоляции с целью уменьшения паразитных емкостей структур переключателей и разработка новых конструктивно-топологических и структурных решений в рамках классических принципов действия.

Третье стратегическое направление - разработка новых переключателей на квантово-механических принципах функционирования на основе гетероструктур с нанометровыми размерами в рамках полупроводниковой технологии.

И, наконец, четвертое направление - исследование возможностей использования в качестве переключателей молекул, полимерных и других материалов и структур, создаваемых на базе нанотехнологий.

Расчетная часть

Задача 1

Рассчитать клепаное соединение (рисунок 1.), нагруженное переменной растягивающей силой Fmax = 60 кН.

Материал тяги и проушины - сталь марки Ст3. Отверстия под заклепки сверленые. Толщина тяги δ = 6 мм. Клепка производится горячим способом.

Решение. Проектировочный расчет.

1.Тип соединения. Принимаем для крепления тяги с проушиной клепаное соединение внахлестку. Назначаем = 0,67

. Размеры поперечного сечения тяги. По таблице 2. для стали марки Ст3 при растяжении переменной нагрузкой:

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Прочитайте еще и эти статьи:

История создания радио
Радио - технология беспроводной передачи информации посредством электромагнитных волн радиодиапазона . Технические методы и средства, с помощью которых это делается, составляют предмет радиотехники. Научным фундаментом которой является ради ...

Широкополосный усилитель
Современная электроника предъявляет высокие требования к качественным показателям усилительных устройств. Несмотря на существующее многообразие типов ИМС, рассматриваемых как активные усилительные элементы, использование транзисторов во многих ...

© Copyright 2022 | www.techattribute.ru