Основные разделы


Скорость производства информации

Ток в полевых транзисторах, поскольку они являются униполярными, переносится только основными носителями и паразитный эффект накопления неосновных носителей в них отсутствует. За исключением полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Это первая особенность полевых транзисторов как переключателей, вытекающая из физического принципа действия. Быстродействие полевых транзисторов определяется сопротивлением канала, прямо пропорциональным его длине и паразитными емкостями. От длины канала зависит также и величина крутизны преобразования, которая в данном случае определяется выражением:

- ток стока, ток между токопроводящими электродами стока и истока, - напряжение на управляющем электроде (затворе).

Вторым классификационным признаком можно принять струк­туру транзистора. По данному принципу биполярные транзисторы подразделяются на гомо и гетеро структурные. Особенностью биполярных транзисторов, вытекающей из физической структуры, является необходимость их изоляции друг от друга при использовании в составе интегральной схемы. Средства изоляции (обратносмещенный р-п переход, диэлектрические области и комбинации р-п переходов и диэлектриков) являются вспомогательными элементами конструкции, которые не определяют выполнение функций ключа, но требуют дополнительных затрат площади и вносят паразитные емкости, от которых зависит их быстродействие. Известны и широко используются в интегральных схемах цифровых устройств три типа изоляции: изоляция обратносмещенным р-п переходом, полная диэлектрическая и комбинированная (часть структуры изолируется диэлектриком, другая - р-п переходом). Полевые транзисторы реализуются в трех структурных типах. Наиболее широко распространенным типом является транзистор со структурой «металлокисел полупроводник» (МОП-транзистор). МОП-транзистор имеет две структурные разновидности: со встроенным каналом и индуцированным каналом.

Особенностью полевых транзисторов данного типа и обоих структурных разновидностей является их самоизоляции от подложки и, следовательно, друг от друга при использовании в составе интегральных схем цифровых устройств. Это свойство позволяет тратить для размещения переключателей меньшую площадь поверхности кристалла по сравнению с биполярным транзистором. Второй тип полевого транзистора - полевой транзистор с управляющим р-п переходом в структурном отношении занимает промежуточное положение между биполярным транзистором и полевым МОП-транзистором. Данный тип полевого транзистора имеет две структурные разновидности. Он может быть выполнен с горизонтальным или вертикальным встроенными каналами. Третьим классификационным признаком транзисторов - переключателей является вид вольт-амперных характеристик (ВАХ). ВАХ бывает двух принципиально различных типов: нормально закрытого и нормально открытого. Транзисторы различных принципов действия и различных структурных видов, которые закрыты при напряжении на управляющем электроде, равном нулю, является нормально закрытыми (ИЗ). Типичные ВАХ транзисторов НЗ типа приведены на рис. Д. 2.5 и Д. 2.6.

Рис. 6 ВАХ биполярных транзисторов

К НЗ транзисторам относятся биполярные транзисторы, полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, МОП транзисторы с индуцированным каналом и полевые транзисторы Шоттки. К транзисторам нормально открытого типа (НО) относятся полевые транзисторы со встроенным каналом. Типичные ВАХ транзисторов НО типа приведены на рис.6

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Прочитайте еще и эти статьи:

Исследование и разработка системы радиоакустического зондирования для измерения параметров ветровых потоков в атмосферном пограничном слое
Жизнь и деятельность человека протекают в атмосфере Земли и зависят в значительной степени от ее состояния. Атмосфера - чрезвычайно сложный и динамичный объект, требующий для исследования соответствующих теоретических и экспериментальных ме ...

Сотовая система связи
Сотовая радиотелефония является сегодня одной из наиболее интенсивно развивающихся телекоммуникационных систем. Важной особенностью системы сотовой радиосвязи является весьма эффективное использование выделяемого для работы системы радиочастотн ...

© Copyright 2022 | www.techattribute.ru