Скорость производства информации

Ток в полевых транзисторах, поскольку они являются униполярными, переносится только основными носителями и паразитный эффект накопления неосновных носителей в них отсутствует. За исключением полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Это первая особенность полевых транзисторов как переключателей, вытекающая из физического принципа действия. Быстродействие полевых транзисторов определяется сопротивлением канала, прямо пропорциональным его длине и паразитными емкостями. От длины канала зависит также и величина крутизны преобразования, которая в данном случае определяется выражением:

- ток стока, ток между токопроводящими электродами стока и истока, - напряжение на управляющем электроде (затворе).

Вторым классификационным признаком можно принять струк­туру транзистора. По данному принципу биполярные транзисторы подразделяются на гомо и гетеро структурные. Особенностью биполярных транзисторов, вытекающей из физической структуры, является необходимость их изоляции друг от друга при использовании в составе интегральной схемы. Средства изоляции (обратносмещенный р-п переход, диэлектрические области и комбинации р-п переходов и диэлектриков) являются вспомогательными элементами конструкции, которые не определяют выполнение функций ключа, но требуют дополнительных затрат площади и вносят паразитные емкости, от которых зависит их быстродействие. Известны и широко используются в интегральных схемах цифровых устройств три типа изоляции: изоляция обратносмещенным р-п переходом, полная диэлектрическая и комбинированная (часть структуры изолируется диэлектриком, другая - р-п переходом). Полевые транзисторы реализуются в трех структурных типах. Наиболее широко распространенным типом является транзистор со структурой «металлокисел полупроводник» (МОП-транзистор). МОП-транзистор имеет две структурные разновидности: со встроенным каналом и индуцированным каналом.

Особенностью полевых транзисторов данного типа и обоих структурных разновидностей является их самоизоляции от подложки и, следовательно, друг от друга при использовании в составе интегральных схем цифровых устройств. Это свойство позволяет тратить для размещения переключателей меньшую площадь поверхности кристалла по сравнению с биполярным транзистором. Второй тип полевого транзистора - полевой транзистор с управляющим р-п переходом в структурном отношении занимает промежуточное положение между биполярным транзистором и полевым МОП-транзистором. Данный тип полевого транзистора имеет две структурные разновидности. Он может быть выполнен с горизонтальным или вертикальным встроенными каналами. Третьим классификационным признаком транзисторов - переключателей является вид вольт-амперных характеристик (ВАХ). ВАХ бывает двух принципиально различных типов: нормально закрытого и нормально открытого. Транзисторы различных принципов действия и различных структурных видов, которые закрыты при напряжении на управляющем электроде, равном нулю, является нормально закрытыми (ИЗ). Типичные ВАХ транзисторов НЗ типа приведены на рис. Д. 2.5 и Д. 2.6.

Рис. 6 ВАХ биполярных транзисторов

К НЗ транзисторам относятся биполярные транзисторы, полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, МОП транзисторы с индуцированным каналом и полевые транзисторы Шоттки. К транзисторам нормально открытого типа (НО) относятся полевые транзисторы со встроенным каналом. Типичные ВАХ транзисторов НО типа приведены на рис.6

Прочитайте еще и эти статьи:

Основные параметры радиолокационной станции боевого режима, устройства защиты от активно-шумовых помех
В связи с расширением НАТО на восток руководство США и Северо-Атлантического союза сформировало новую военную доктрину блока. Так, ее положениями определены: вероятные противники, виды войн и конфликтов, возможные условия их возникновения, спос ...

Конструирование плоской антенны
В настоящее время широко развивается рынок средств спутниковой связи. Ежегодное увеличение их объема производства составляет более 30%. Разработка антенной системы для приема сигналов космического телевещания является важнейшей частью наземной систе ...