Основные разделы


Расчет промежуточного каскада усиления

Рассчитаем элементы каскада усиления, выполненного на транзисторе VT2

. Используя выражения (3.1.3), а также, учитывая (3.1.2) и (3.1.1), имеем:

(3.2)

Принимаем RK2 = 1500 Ом.

Определим ток покоя коллектора транзистора VT2:

(3.2.1)

Тогда

(3.2.2)

Принимаем RЭ2 = 200 Ом.

Транзистор VT2

должен отвечать следующим требованиям:

(3.2.3)

(3.2.4)

(3.2.5)

По справочникам [6 с. 66, 67] или [7 с. 29,30] выбираем транзистор КТ503Б

, который имеет следующие предельные эксплуатационные параметры:

граничное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ max доп = 25 В;

постоянный ток коллектора IK max доп = 150 мА;

постоянная рассеиваемая мощность коллектора с Рк max доп = 0,35 Вт;

статический коэффициент передачи тока базы h21Э - 80-120;

граничная частота коэффициента передачи fгр = 5 МГц.

Используя аналитическое выражение, позволяющее оценить термостабильности каскада, получим:

(3.2.6)

Тогда

(3.2.7)

Из приведенных выражений при условии Uб2 = 2,75 В найдем:

(3.2.8)

(3.2.9)

Принимаем, соответственно: Rб4=700Ом и Rб3 = 4,8 кОм.

Определим ток покоя базы транзистора VT2

:

(3.3)

Ток делителя на резисторах Rб3 и Rб4

(3.3.1)

Сравнительный анализ показывает, что Iдел >> Iб20, следовательно, выполняется условие независимости выходного напряжения делителя UБ2 от тока базы транзистора VT2

.

Сопротивление нагрузки каскада на транзисторе VT2

по переменному току определяем из условия параллельного включения резисторов RH3 И RK2, образующих апериодическую нагрузку второго каскада RHVT2:

, где (3.3.2)

Коэффициент усиления каскада на транзисторе VT2

без учета действия цепи местной отрицательной обратной связи при RBX = 230 Ом:

(3.3.3)

Сопротивление нагрузки для каскада на транзисторе VT1

по переменному току можно определить из условия:

(3.3.4)

Тогда RHVT1=170 Ом.

Прочитайте еще и эти статьи:

Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad
В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемо ...

Проект цифровой радиорелейной линии г. Уфа - г. Челябинск
Радиорелейные и другие беспроводные (оптические) системы связи применяются как альтернатива проводным (медным или оптоволоконным) системам там, где прокладка кабеля невозможна или экономически невыгодна и там, где требуется развернуть связь в ко ...

© Copyright 2019 | www.techattribute.ru