Разработка и расчет блока питания

Для подачи входного питания от аккумулятора (+3,7В) предусмотрен разъем XS2 и набор блокировочных конденсаторов.

Разъем входного питания с подключенными блокировочными конденсаторами представлен на рисунке 14.

Рисунок 14 – Входное питание

Далее из напряжения 3,7 В микросхемы (LTC3538 и LTC3549) формируют следующие напряжения: +1,2 В, +1,5 В, +1,8 В, +2,5 В, +3.3 В.

Схема формирования набора напряжений представлена на рисунке 15

Рисунок 15 – Схема формирования набора напряжений

Для настройки блока питания LTC3549 на определенное напряжение используется резистивный делитель. Расчет номиналов резисторов производится по формуле:

,

где R1 R2 - резисторы, а VOUT - выходное напряжение.

Нам нужно получить выходные напряжения +1,2 В, +1,5 В и +1,8 В, следует номиналы резисторов должны быть соответственно: 130 кОм и 130 кОм, 200 кОм и 130 кОм, 270 кОм и 130 кОм.

Индуктивность рассчитывается по формуле:

,

где f - частота, I - выходной ток, VIN - входное напряжение.

Подставляя требуемые значения выходных напряжений и потребляемых токов, получаем значение индуктивностей соответственно: 3,6 мкГн, 3.3 мкГн и 3,1 мкГн. Индуктивности мало различаются, по этому будут использоваться одинаковые стандартные индуктивности номиналом в 3,3 мкГн

На выходе микросхемы подключаются три конденсатора номиналами по 10 мкФ, 0.1 мкФ и 0.01 мкФ для подавления помех на низких, высоких и сверхвысоких частотах.

Для настройки блока питания LTC3538 на определенное напряжение используется резистивный делитель. Расчет номиналов резисторов производится по формуле:

.

Нам нужно получить выходные напряжения +2,5 В и +3,3 В, следует номиналы резисторов должны быть соответственно: 470 кОм и 200 кОм, 300 кОм и 200 кОм.

На выходе микросхемы также подключаются три конденсатора номиналами по 10мкФ, 0.1мкФ и 0.01мкФ для подавлении помех на низких, высоких и сверхвысоких частотах.

Прочитайте еще и эти статьи:

Технология ремонта стабилизатора напряжения ультразвукового дефектоскопа
Рост эффективности общественного производства, повышение качества продукции, научные достижения сегодня становятся практически невозможными без широкого применения электронной аппаратуры. Практически во всех областях знаний, прогресс не мыслим б ...

Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники
В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа. Физико-химические свойства пористых полупро ...