Разработка и расчет блока питания

Для подачи входного питания от аккумулятора (+3,7В) предусмотрен разъем XS2 и набор блокировочных конденсаторов.

Разъем входного питания с подключенными блокировочными конденсаторами представлен на рисунке 14.

Рисунок 14 – Входное питание

Далее из напряжения 3,7 В микросхемы (LTC3538 и LTC3549) формируют следующие напряжения: +1,2 В, +1,5 В, +1,8 В, +2,5 В, +3.3 В.

Схема формирования набора напряжений представлена на рисунке 15

Рисунок 15 – Схема формирования набора напряжений

Для настройки блока питания LTC3549 на определенное напряжение используется резистивный делитель. Расчет номиналов резисторов производится по формуле:

,

где R1 R2 - резисторы, а VOUT - выходное напряжение.

Нам нужно получить выходные напряжения +1,2 В, +1,5 В и +1,8 В, следует номиналы резисторов должны быть соответственно: 130 кОм и 130 кОм, 200 кОм и 130 кОм, 270 кОм и 130 кОм.

Индуктивность рассчитывается по формуле:

,

где f - частота, I - выходной ток, VIN - входное напряжение.

Подставляя требуемые значения выходных напряжений и потребляемых токов, получаем значение индуктивностей соответственно: 3,6 мкГн, 3.3 мкГн и 3,1 мкГн. Индуктивности мало различаются, по этому будут использоваться одинаковые стандартные индуктивности номиналом в 3,3 мкГн

На выходе микросхемы подключаются три конденсатора номиналами по 10 мкФ, 0.1 мкФ и 0.01 мкФ для подавления помех на низких, высоких и сверхвысоких частотах.

Для настройки блока питания LTC3538 на определенное напряжение используется резистивный делитель. Расчет номиналов резисторов производится по формуле:

.

Нам нужно получить выходные напряжения +2,5 В и +3,3 В, следует номиналы резисторов должны быть соответственно: 470 кОм и 200 кОм, 300 кОм и 200 кОм.

На выходе микросхемы также подключаются три конденсатора номиналами по 10мкФ, 0.1мкФ и 0.01мкФ для подавлении помех на низких, высоких и сверхвысоких частотах.

Прочитайте еще и эти статьи:

Метод синтеза генераторов детерминированных тестов на сетях клеточных автоматов (СКА)
Стремительный рост сложности современных систем управления технологическими процессами и оборудованием вызывает необходимость решения многих проблем, среди которых важное место занимают вопросы обеспечения необходимого уровня отказоустойчивости, ...

Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники
В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа. Физико-химические свойства пористых полупро ...