Основные разделы


Расчет режима работы выходного каскада

Расчет режима работы выходного каскада произведем в соответствии с методикой, изложенной в [4].

Т.к. мощность рассеяния транзистора , то он относится к мощным транзисторам и необходимо использовать методику расчета мощного усилительного каскада. Она основана на переходе от модели транзистора по высокой частоте (ВЧ) к эквивалентной схеме усилителя ОЭ для токов и напряжений первой гармоники.

Справочные данные выбранного транзистора КТ904А приведены в таблице 1, где указаны параметры типового режима, соответствующего максимальному использованию транзистора как по мощности, так и по частоте. Рекомендуется мощные ВЧ транзисторы в усилительном режиме использовать по мощности не менее, чем на 40-50% от максимального значения, иначе существенно падает усиление или КПД транзистора. В нашем случае это условие выполняется. Кроме того, нижняя рабочая частота не опускается ниже рекомендованных 20% от граничной.

Таблица 2.1. Справочные данные транзистора КТ904А

Предельные эксплуатационные параметры

Электрические параметры и параметры эквивалентной схемы

Uкэ доп , В

60

h21Э

30

Uэб доп , В

4

U´, В

0,6

Iк доп , А

0,8

Sгр , См

0,06

Rпк , ˚С/Вт

16

ƒгр , МГц

500

tп , ˚С

120

Ск , пФ

6

tк , ˚С

85

Ска , пФ

2

Pдоп , Вт

5

Сэ , пФ

65

Параметры типового режима

r´б , Ом

2

ƒтип , МГц

400

r´э , Ом

0,1

Eк тип , В

28

r´к , Ом

3

Pтип , Вт

3,2

Lб , нГн

3

КP

3,2

Lэ , нГн

3

η, %

40

Lк , нГн

3

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Прочитайте еще и эти статьи:

Основные параметры радиолокационной станции боевого режима, устройства защиты от активно-шумовых помех
В связи с расширением НАТО на восток руководство США и Северо-Атлантического союза сформировало новую военную доктрину блока. Так, ее положениями определены: вероятные противники, виды войн и конфликтов, возможные условия их возникновения, спос ...

Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad
В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемо ...

© Copyright 2019 | www.techattribute.ru