Основные разделы

Разработка принципиальной схемы амплитудного накопителя

Ниже предложена к разработке и рассчитана принципиальная схема амплитудного накопителя, которая соответствует структурной схеме, изображенной на рис. 1.12.

Элементная база контрольного канала должна обеспечивать выполнение заданных функций пи возможно меньшей сложности аппаратуры, необходимое быстродействие и относительно простое сопряжение с аппаратурой радара НР. Так как в цифровых схемах используется напряжение сигнала в пределах 5В, то для построения канала целесообразно использовать микросхемы серии ТТЛ. Представленным требованиям удовлетворяет наиболее распространенные серии К155, К531 и К565, в составе которых есть микросхемы с необходимыми функциональными возможностями. Микросхемы изготовлены по биполярной технологии и размещены в герметичном корпусе типа 2136.64-1 с вертикальным двухрядным расположением выводов.

Сумматор.

Сумматор предназначен для повысотного суммирования 7-и разрядного кода, поступающего с АЦП, с 16-и разрядным числом, хранящимся в ОЗУ и выдачи результата, которые будут занесены в те же ячейки оперативной памяти.

Схема электрическая принципиальная сумматора и остальных блоков амплитудного анализатора имеет вид, изображенный на чертеже 1. Так как типовые микросхемы обеспечивают действия с 4-разрядными числами, то для выполнения суммирования 16 разрядных чисел необходимо использование 4 корпусов. Первый элемент суммирования - это 4 микросхемы Д1…Д4 (К531 ИП3П). Для их связи необходим и общая схема быстрого переноса для сумматора - Д5 (К531 ИП4П).

Основные электрические параметры К531 ИП3П при температуре окружающей среды 25+100 следующие:

I0вх, мА, не более: по входу М по информационным входам А и В по входу S по входу С	-2 -6 -8 10
I1вх, мА, не более: по входу М по информационным входам А и В по входу S по входу С	0.05 0.15 0.2 0.25
U1вых, В, не более:	0.5
U1вых, В, не менее:	2.7
tзад, нс, не более:	30
Iпот, мА, не более:	220

Технические характеристики К531 ИП4П имеют вид:

I0вх, мА, не более по входам: переноса СП распространения переноса Р3 распространения переноса Р2 образования переноса G1	-2.0 -4.0 -6.0 -16.0
I1вх, мА, не более по входам: переноса СП распространения переноса Р3 распространения переноса Р2 образования переноса G1	50 100 150 400
U0вых, В, не более:	0.5
U1вых, В, не менее:	2.7
tзад, нс, не более:	10.5
Iпот, мА, не более:	100

Роль буферных регистров выполняют ключи (Д6…Д9) - канальные регистры на 4 микросхемах К155ЛИ1, отпираемые импульсами «Считывание от ПК».

Перейти на страницу: 1 2

Прочитайте еще и эти статьи:

Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники
В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа. Физико-химические свойства пористых полупро ...

Исследование и разработка системы радиоакустического зондирования для измерения параметров ветровых потоков в атмосферном пограничном слое
Жизнь и деятельность человека протекают в атмосфере Земли и зависят в значительной степени от ее состояния. Атмосфера - чрезвычайно сложный и динамичный объект, требующий для исследования соответствующих теоретических и экспериментальных ме ...