Расчет диаграммы уровней на пролетах ЦРРЛ

Как следует из рисунка 5.2.1, требуемый запас на замирания равен 41 дБ, что не превышает величину предельно реализуемого запаса на замирания Vз.пр. равного 45 дБ. Таким образом, можно сделать вывод, что оптимальный просвет на пролете выбран, верно.

Рисунок 5.2.1 - Диаграмма уровней сигнала на пролете ПРС 5 - ПРС 6

В

данном курсовом проекте в соответствии с заданием спроектирована ЦРРЛ протяженностью 354 км. Разработана структурная схема цифровой радиорелейной линии, состоящая из десяти пролетов. Произведен выбор радиотехнического оборудования, в качестве которого предложена аппаратура «МИК-РЛ8». Разработана схема организации связи на проектируемой линии с выделением 70 каналов на промежуточной станции ПРС-3 (г.Аша). Проведен расчет качественных показателей ЦРРЛ: выбраны оптимальные высоты подвеса антенн, рассчитана устойчивость связи для малых процентов времени. Расчеты показали, что на проектируемой ЦРРЛ обеспечивается требуемое качество связи в соответствии с рекомендациями ВСС РФ. Построена диаграмма уровней сигналов на заданном пролете, из которой следует, что при выбранных высотах подвеса антенн обеспечивается требуемый запас на замирания, что свидетельствует о правильности проделанных расчетов.

При разработки цифровой радиорелейной линии были рассмотрены основные вопросы реализации данного проекта на практике. Было предложено конкретное решение и рассчитаны основные параметры, на основе которых решалось правильность принятых решении.

Прочитайте еще и эти статьи:

Составление документации по замене станций
Связь является важнейшей составной частью производственной инфраструктуры и инфраструктуры рынка, развитие которой серьёзно способствует укреплению в России рыночных отношений, повышению эффективности производства и улучшению благосостояния общ ...

Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники
В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа. Физико-химические свойства пористых полупро ...