Транзистор, полупроводниковый диод в радиоприемнике

В 1947 году Бардин, Шокли, Браттейн создали первый полупроводниковый триод - транзистор.

Транзистор - это полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для усиления, генерирования и преобразований электрических колебаний различных частот. Транзистор представляет собой пластинку германия или кремния или другого полупроводникового материала, в объеме которого искусственно создано две области противоположные по электрической проводимости. Пластинка и две области в ней образуется два p-n перехода, каждый из которых обладает такими же свойствами, что и полупроводниковый диод. На рисунке 9 показана схема транзистора.

[2]

Рис.9

Если пластинка n-типа, а область p-типа то такой транзистор имеет структуру p-n-p,если же наоборот, то n-p-n. Пластинка называется базой Б, область меньшего объема - эмиттером Э, а область большего объема - коллектором К. Электронно-дырочный переход между К и Б называют коллекторным, между Э и Б эмиттерным.

На рисунке 10и 11 показано схематическое изображение транзисторов p-n-p и n-p-n типов.

[2]

Рис.10

[2]

Рис.11

Стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.

Полупроводниковый диод - это полупроводниковый радиоэлемент, обладающий способностью хорошо пропускать ток в одном направлении и плохо в противоположном направлении. Данное свойство используют для выпрямления тока и для детектирования. Диод состоит из двух переходов n-типа и p-типа.

На рисунке 12 показана схема полупроводникового диода

[2]

Рис.12

При подаче отрицательного тока на n-переход и при подаче на p-переход положительного тока электроны в n-области будут двигаться в границе p-области, в то время как дырки будут двигаться к отрицательной области. Такое включение называется прямым. При подаче же тока наоборот произойдет скопление дырок на p-переходе и скопление электронов на n-переходе, произойдет уменьшение сопротивления. Такое включение называется обратным (данное включение можно ещё использовать для создания емкости в диоде из-за накопления в разных концах зарядов они создают собственно электрическое поле)[4].

Преимущество полупроводниковых радиоэлементов перед радиолампами в том, что они нехрупкие, в них отсутствует нить накала, они имеют малые габариты. Но в усилителях звука транзисторы дают шум, который не зависит от уровня сигнала. Он возникает из-за теплового движения свободных носителей зарядов в полупроводниках.

Прочитайте еще и эти статьи:

Измеритель угловых скоростей на основе неортогонально ориентированной гексоды ДУСов с электрическими обратными связями для космического корабля
Бесплатформенные инерциальные навигационные системы на пилотируемых космических объектах впервые были применены РКК «Энергия» в 1974 году. С 1982 года в системе управления космическими аппаратами (КА) «Союз» и «Прогресс» применяется трехкомпоне ...

Система определения местоположения излучающего объекта
Одной из наиболее актуальных задач радионавигации является определение местоположения объекта. Вследствие того, что пассивный метод определения местоположения излучающего объекта предполагает высокую скрытность радионавигационной аппаратуры, он ...