Основные разделы


Транзистор, полупроводниковый диод в радиоприемнике

В 1947 году Бардин, Шокли, Браттейн создали первый полупроводниковый триод - транзистор.

Транзистор - это полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для усиления, генерирования и преобразований электрических колебаний различных частот. Транзистор представляет собой пластинку германия или кремния или другого полупроводникового материала, в объеме которого искусственно создано две области противоположные по электрической проводимости. Пластинка и две области в ней образуется два p-n перехода, каждый из которых обладает такими же свойствами, что и полупроводниковый диод. На рисунке 9 показана схема транзистора.

[2]

Рис.9

Если пластинка n-типа, а область p-типа то такой транзистор имеет структуру p-n-p,если же наоборот, то n-p-n. Пластинка называется базой Б, область меньшего объема - эмиттером Э, а область большего объема - коллектором К. Электронно-дырочный переход между К и Б называют коллекторным, между Э и Б эмиттерным.

На рисунке 10и 11 показано схематическое изображение транзисторов p-n-p и n-p-n типов.

[2]

Рис.10

[2]

Рис.11

Стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.

Полупроводниковый диод - это полупроводниковый радиоэлемент, обладающий способностью хорошо пропускать ток в одном направлении и плохо в противоположном направлении. Данное свойство используют для выпрямления тока и для детектирования. Диод состоит из двух переходов n-типа и p-типа.

На рисунке 12 показана схема полупроводникового диода

[2]

Рис.12

При подаче отрицательного тока на n-переход и при подаче на p-переход положительного тока электроны в n-области будут двигаться в границе p-области, в то время как дырки будут двигаться к отрицательной области. Такое включение называется прямым. При подаче же тока наоборот произойдет скопление дырок на p-переходе и скопление электронов на n-переходе, произойдет уменьшение сопротивления. Такое включение называется обратным (данное включение можно ещё использовать для создания емкости в диоде из-за накопления в разных концах зарядов они создают собственно электрическое поле)[4].

Преимущество полупроводниковых радиоэлементов перед радиолампами в том, что они нехрупкие, в них отсутствует нить накала, они имеют малые габариты. Но в усилителях звука транзисторы дают шум, который не зависит от уровня сигнала. Он возникает из-за теплового движения свободных носителей зарядов в полупроводниках.

Прочитайте еще и эти статьи:

Динамика распространения сотовой связи в России
Сотовая связь, наряду с другими видами связи, является ярким образцом инфраструктурной отрасли и обладает всеми ее характерными свойствами. Особенно велика объединяющая роль связи, которая проявляется как в отраслевом, так и в территориальном ас ...

Проект цифровой радиорелейной линии г. Уфа - г. Челябинск
Радиорелейные и другие беспроводные (оптические) системы связи применяются как альтернатива проводным (медным или оптоволоконным) системам там, где прокладка кабеля невозможна или экономически невыгодна и там, где требуется развернуть связь в ко ...

© Copyright 2020 | www.techattribute.ru