Формирование пористой матрицы в арсениде галлия

. Рассматриваемое торможение анодного процесса не зависит от интенсивности перемешивания раствора или скорости вращения дискового анода из n-GaAs, лишь улучшается воспроизводимость и несколько возрастает ток для стороны (111)A. Это свидетельствует, что затруднения обусловлены процессами в твёрдой фазе анода.

. Кристаллографическая ориентация поверхности анода из n-GaAs не влияет заметным образом на характер торможения и на вид анодных кривых, хотя анодный ток растворения стороны (111)B обычно больше, чем для стороны (111)A.

. Напряжение пробоя, при котором начинается новый рост анодного тока, зависит от концентрации электронов (донорной примеси), а также от состава раствора, т. е. от его способности растворять продукты окисления арсенида галлия, которые пассивируют локальные места пробоя. Так, в 1 моль/л растворе напряжение пробоя выше, чем в 1 моль/л растворе , и для n-GaAs ориентации (111)В его зависимость от концентрации носителей, больше , описывается эмпирической формулой: [3].

Технологические условия формирования пористого арсенида галлия

Пористый арсенид галлия получали путём электрохимической обработки монокристаллического арсенида галлия, являющегося анодом. В качестве электролита использовали водный раствор плавиковой кислоты [4]. Для экспериментов были использованы образцы арсенида галлия n- и p-типов проводимости с полированной поверхностью, кристаллографической ориентацией (100) и концентрацией основных носителей заряда порядка . Перед получением пористого слоя образцы предварительно подвергали химическому полированию в растворе в течение 1 минуты с последующей промывкой в дистиллированной воде.

При травлении образца n-типа необходима подсветка. В нашей работе применялась зеркальная лампа, мощностью порядка 20 .

В качестве электролита применялся 25 % раствор HF. Плотность тока лежала в пределах 70-80 . Время травления - 15 минут.

Само травление осуществлялось в электрохимической ячейке (рисунок 7).

- Платиновый катод; 2 - электролит; 3 - прокладка из вакуумированной резины; 4 - полупроводниковая пластина; 5 - омический контакт к полупроводнику; 6 - основание ячейки.

Рисунок 7 - Конструкция электрохимической ячейки

Прочитайте еще и эти статьи:

Разработка аппаратно-технологического обеспечения производства компьютерной игры
Аудио-обеспечение для игр является очень близким к кинопроизводству, но раньше звуковым оформлением любили заниматься в рамках команд девелоперов (разработчиков) на любительском уровне, и только сейчас стали массово обращаться к профессиона ...

Многофункциональный прибор для учебного автомобиля
В наше время в связи с развитием электроники вообще и автомобильной электроники в частности ставится задача создания многофункционального прибора для учебного автомобиля, которая включает в себя задачи точного измерения и индикации параметров ра ...