Основные разделы


Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad

В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемой мощности. В связи с этим необходимы корректные модели МОП-транзисторов, чтобы было возможно проектирование все более усложняющихся цифровых устройств.

При проектировании схем на полевых транзисторах необходимо знать как выглядит ВАХ транзистора. Этот параметр закладывается в ходе проектирования структуры транзистора. Чтобы предсказать поведение ВАХ нужно знать, какие процессы происходят в структуре при изменении прикладываемых к ней напряжений. Одним из таких процессов, напрямую влияющих на вид ВАХ транзистора, является изменение толщины обедненной области пространственного заряда (ОПЗ) и, следовательно, геометрии канала при изменении напряжения на стоке.

В данной работе будет построена компьютерная модель зависимости толщины ОПЗ от приложенного к току напряжения.

    Прочитайте еще и эти статьи:

    Расчет генератора кадровой развертки
    Назначение генератора кадровой развертки, как в цветном, так и в черно-белом телевизоре состоит в том, чтобы в кадровых катушках отклоняющей системы получить ток такого размаха и такой формы, при которых на экране кинескопа обеспечивается номин ...

    Разработка аппаратно-технологического обеспечения производства компьютерной игры
    Аудио-обеспечение для игр является очень близким к кинопроизводству, но раньше звуковым оформлением любили заниматься в рамках команд девелоперов (разработчиков) на любительском уровне, и только сейчас стали массово обращаться к профессиона ...

    © Copyright 2019 | www.techattribute.ru