В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемой мощности. В связи с этим необходимы корректные модели МОП-транзисторов, чтобы было возможно проектирование все более усложняющихся цифровых устройств.
При проектировании схем на полевых транзисторах необходимо знать как выглядит ВАХ транзистора. Этот параметр закладывается в ходе проектирования структуры транзистора. Чтобы предсказать поведение ВАХ нужно знать, какие процессы происходят в структуре при изменении прикладываемых к ней напряжений. Одним из таких процессов, напрямую влияющих на вид ВАХ транзистора, является изменение толщины обедненной области пространственного заряда (ОПЗ) и, следовательно, геометрии канала при изменении напряжения на стоке.
В данной работе будет построена компьютерная модель зависимости толщины ОПЗ от приложенного к току напряжения.
Антенны и устройства СВЧ
Линзовой антенной называют совокупность электромагнитной линзы и
облучателя. Линза представляет собой радиопрозрачное тело с определенной формой
поверхности, имеющее коэффициент преломления, отличный от единицы.
Назначение линзы состоит в том, ...
Услуга передачи коротких сообщений
Компьютеризация телекоммуникационного оборудования идет
параллельно с процессами приватизации национальных систем связи, появлением на
рынке крупных фирм - операторов, что приводит к усилению конкурентной борьбы. В
результате сни ...