Основные разделы


Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad

В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемой мощности. В связи с этим необходимы корректные модели МОП-транзисторов, чтобы было возможно проектирование все более усложняющихся цифровых устройств.

При проектировании схем на полевых транзисторах необходимо знать как выглядит ВАХ транзистора. Этот параметр закладывается в ходе проектирования структуры транзистора. Чтобы предсказать поведение ВАХ нужно знать, какие процессы происходят в структуре при изменении прикладываемых к ней напряжений. Одним из таких процессов, напрямую влияющих на вид ВАХ транзистора, является изменение толщины обедненной области пространственного заряда (ОПЗ) и, следовательно, геометрии канала при изменении напряжения на стоке.

В данной работе будет построена компьютерная модель зависимости толщины ОПЗ от приложенного к току напряжения.

    Прочитайте еще и эти статьи:

    Предварительный расчет высокочастотной части супергетеродинного приемника
    История развития радиоприемных устройств, как и всей радиотехники, неразрывно связана с именем изобретателя радио Александра Степановича Попова. мая 1895 г. на заседании Русского физико-химического общества в Петербурге А. С. Попов демонстри ...

    Технико-экономический проект участка первичной сети
    Первичная сеть представляет собой совокупность магистральной первичной сети, внутризоновой первичной сети, и местной первичной сети. Проектируемый участок относится к магистральной первичной сети. В состав магистральной сети входят сетевые станц ...

    © Copyright 2018 | www.techattribute.ru