Основные разделы


Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad

В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемой мощности. В связи с этим необходимы корректные модели МОП-транзисторов, чтобы было возможно проектирование все более усложняющихся цифровых устройств.

При проектировании схем на полевых транзисторах необходимо знать как выглядит ВАХ транзистора. Этот параметр закладывается в ходе проектирования структуры транзистора. Чтобы предсказать поведение ВАХ нужно знать, какие процессы происходят в структуре при изменении прикладываемых к ней напряжений. Одним из таких процессов, напрямую влияющих на вид ВАХ транзистора, является изменение толщины обедненной области пространственного заряда (ОПЗ) и, следовательно, геометрии канала при изменении напряжения на стоке.

В данной работе будет построена компьютерная модель зависимости толщины ОПЗ от приложенного к току напряжения.

    Прочитайте еще и эти статьи:

    Принципы построения систем передачи дискретных сообщений
    Жизнедеятельность человека связана с информационным хранением, обработкой, приёмом. Информация-это совокупность каких-либо сведений. Информация часто возникает не там, где она используется, поэтому важнейшей проблемой является передача и ...

    Исследование преобразования и передачи сигналов
    В результате выполнения курсовой работы необходимо: . Глубоко изучить физические процессы в линейных цепях в переходном и установившемся режимах; . Приобрести навыки применения основных методов анализа, преобразования сигналов линейными ц ...

    © Copyright 2019 | www.techattribute.ru