В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемой мощности. В связи с этим необходимы корректные модели МОП-транзисторов, чтобы было возможно проектирование все более усложняющихся цифровых устройств.
При проектировании схем на полевых транзисторах необходимо знать как выглядит ВАХ транзистора. Этот параметр закладывается в ходе проектирования структуры транзистора. Чтобы предсказать поведение ВАХ нужно знать, какие процессы происходят в структуре при изменении прикладываемых к ней напряжений. Одним из таких процессов, напрямую влияющих на вид ВАХ транзистора, является изменение толщины обедненной области пространственного заряда (ОПЗ) и, следовательно, геометрии канала при изменении напряжения на стоке.
В данной работе будет построена компьютерная модель зависимости толщины ОПЗ от приложенного к току напряжения.
Проект цифровой радиорелейной линии г. Уфа - г. Челябинск
Радиорелейные и другие беспроводные (оптические) системы связи
применяются как альтернатива проводным (медным или оптоволоконным) системам
там, где прокладка кабеля невозможна или экономически невыгодна и там, где
требуется развернуть связь в ко ...
Защита каналов связи
Защита (безопасность) информации является неотъемлемой составной частью
общей проблемы информационной безопасности, роль и значимость которой во всех
сферах жизни и деятельности общества и государства на современном этапе
неуклонно возрастают.
...