Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad

В современной цифровой электронике наиболее распространены полевые транзисторы. Это связано с тем, что на полевых транзисторах возможна реализация комплиментарных МОП-структур. Преимущество таких структур в их быстродействии и малой потребляемой мощности. В связи с этим необходимы корректные модели МОП-транзисторов, чтобы было возможно проектирование все более усложняющихся цифровых устройств.

При проектировании схем на полевых транзисторах необходимо знать как выглядит ВАХ транзистора. Этот параметр закладывается в ходе проектирования структуры транзистора. Чтобы предсказать поведение ВАХ нужно знать, какие процессы происходят в структуре при изменении прикладываемых к ней напряжений. Одним из таких процессов, напрямую влияющих на вид ВАХ транзистора, является изменение толщины обедненной области пространственного заряда (ОПЗ) и, следовательно, геометрии канала при изменении напряжения на стоке.

В данной работе будет построена компьютерная модель зависимости толщины ОПЗ от приложенного к току напряжения.

• Классификация полевых транзисторов
• Принцип действия полевого транзистора с индуцированным каналом
• Моделирование работы МДП-транзистора
• Компьютерная модель

Прочитайте еще и эти статьи:

Исследование преобразования и передачи сигналов
В результате выполнения курсовой работы необходимо: . Глубоко изучить физические процессы в линейных цепях в переходном и установившемся режимах; . Приобрести навыки применения основных методов анализа, преобразования сигналов линейными ц ...

Широкополосный усилитель
Современная электроника предъявляет высокие требования к качественным показателям усилительных устройств. Несмотря на существующее многообразие типов ИМС, рассматриваемых как активные усилительные элементы, использование транзисторов во многих ...