В
настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид
галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех
полупроводниковых материалов типа.
Физико-химические свойства пористых полупроводников достаточно давно привлекают внимание исследователей, применяющих подобные материалы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Так, пористый кремний, получаемый обычно методом электрохимического травления, широко используется в технологии «кремний на диэлектрике», для создания проводящих слоёв, а также в качестве подложек для гетероэпитаксии [6]. Интерес к пористым полупроводникам заметно возрос после обнаружения интенсивной фотолюминесценции у пористой модификации кремния - изначально полупроводника со слабой излучательной способностью [7-10]. Условия получения и свойства пористого арсенида галлия пока остаются малоизученными. В литературе встречаются лишь отрывочные данные, свидетельствующие о возможности его получения методом электрохимического травления [11-13].
Согласно
литературным данным, процесс порообразования в арсениде галлия происходит по
схеме порообразования кремния, но со своей спецификой: результаты исследований
говорят о том, что слои пористого арсенида галлия имеют нестихиометричный
состав со значительным избытком атомов мышьяка. Установлено, что скелетную
основу слоёв составляют столбики-перегородки, разделённые системой пор,
ориентированных вдоль кристаллографического направления [111]. Пористые слои
сохраняют монокристаллическую структуру подложки, но могут иметь изменённый
параметр решётки - Δа/а.
1 Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники
Исследование преобразования и передачи сигналов
В результате
выполнения курсовой работы необходимо:
. Глубоко изучить
физические процессы в линейных цепях в переходном и установившемся режимах;
. Приобрести
навыки применения основных методов анализа, преобразования сигналов линейными
ц ...
Разработка цифрового комбинационного устройства - демультиплексора
Необходимо разработать цифровое комбинационное устройство
демультиплексор из 1 в 4 в базисе ИЛИ-НЕ, НЕ, логическая функция которого
указана ниже.
Требуемые параметры устройства и базисных элементов представлены в
таблице 1.1. Параметры, необ ...