Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники

В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа.

Физико-химические свойства пористых полупроводников достаточно давно привлекают внимание исследователей, применяющих подобные материалы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Так, пористый кремний, получаемый обычно методом электрохимического травления, широко используется в технологии «кремний на диэлектрике», для создания проводящих слоёв, а также в качестве подложек для гетероэпитаксии [6]. Интерес к пористым полупроводникам заметно возрос после обнаружения интенсивной фотолюминесценции у пористой модификации кремния - изначально полупроводника со слабой излучательной способностью [7-10]. Условия получения и свойства пористого арсенида галлия пока остаются малоизученными. В литературе встречаются лишь отрывочные данные, свидетельствующие о возможности его получения методом электрохимического травления [11-13].

Согласно литературным данным, процесс порообразования в арсениде галлия происходит по схеме порообразования кремния, но со своей спецификой: результаты исследований говорят о том, что слои пористого арсенида галлия имеют нестихиометричный состав со значительным избытком атомов мышьяка. Установлено, что скелетную основу слоёв составляют столбики-перегородки, разделённые системой пор, ориентированных вдоль кристаллографического направления [111]. Пористые слои сохраняют монокристаллическую структуру подложки, но могут иметь изменённый параметр решётки - Δа/а.

1 Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники

• Свойства и применение арсенида галлия
• Пористая матрица арсенида галлия и её структурные свойства
• Оптические свойства
• Исследование электрофизических параметров исходного монокристаллического арсенида галлия
• Определение концентрации основных носителей заряда
• Формирование пористой матрицы в арсениде галлия
• Структурные свойства
• Электрические свойства
• Оптические свойства

Прочитайте еще и эти статьи:

Проектирование прибора для измерения частоты пульса
Целью данной части курсового проекта является разработка технологического процесса изготовления печатного узла прибора для измерения частоты пульса. Следует заметить, что технологический процесс представляет собой достаточно сложную систему с мн ...

Двухдиапазонная антенна, работающая на частотах 264 МГц и 396 МГц
Для дуплексной связи на УКВ (сотовая связь, радиотелефоны и т.д.) часто необходимы антенны с коэффициентом направленного действия (КНД), равным 8-12 дБ, и с хорошим согласованием в полосе частот (10-30) % или решетки из таких элементов. Логопер ...