Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники

В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа.

Физико-химические свойства пористых полупроводников достаточно давно привлекают внимание исследователей, применяющих подобные материалы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Так, пористый кремний, получаемый обычно методом электрохимического травления, широко используется в технологии «кремний на диэлектрике», для создания проводящих слоёв, а также в качестве подложек для гетероэпитаксии [6]. Интерес к пористым полупроводникам заметно возрос после обнаружения интенсивной фотолюминесценции у пористой модификации кремния - изначально полупроводника со слабой излучательной способностью [7-10]. Условия получения и свойства пористого арсенида галлия пока остаются малоизученными. В литературе встречаются лишь отрывочные данные, свидетельствующие о возможности его получения методом электрохимического травления [11-13].

Согласно литературным данным, процесс порообразования в арсениде галлия происходит по схеме порообразования кремния, но со своей спецификой: результаты исследований говорят о том, что слои пористого арсенида галлия имеют нестихиометричный состав со значительным избытком атомов мышьяка. Установлено, что скелетную основу слоёв составляют столбики-перегородки, разделённые системой пор, ориентированных вдоль кристаллографического направления [111]. Пористые слои сохраняют монокристаллическую структуру подложки, но могут иметь изменённый параметр решётки - Δа/а.

1 Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники

• Свойства и применение арсенида галлия
• Пористая матрица арсенида галлия и её структурные свойства
• Оптические свойства
• Исследование электрофизических параметров исходного монокристаллического арсенида галлия
• Определение концентрации основных носителей заряда
• Формирование пористой матрицы в арсениде галлия
• Структурные свойства
• Электрические свойства
• Оптические свойства

Прочитайте еще и эти статьи:

Исследование методов повышения производительности в Ad-Hoc сетях
Беспроводные сети позволяют людям связываться и получать доступ к приложениям и информации без использования проводных соединений. Это обеспечивает свободу передвижения и возможность использования приложений, находящихся в других частях дома, г ...

Проектирование ЦС СТС на базе SI-2000
Современный этап развития средств телекоммуникаций характеризуется ускоренными темпами внедрения оборудования цифровых технологий передачи и коммутации. Использование цифровой технологии обусловлено не только технико-экономическими соображениями ...